Вторично-ионная масса спектрометрия
Вторично-ионная масса спектрометрия
Калужский Филиал
Московского Государственного
Технического Университета
им. Н. Э. Баумана
Кафедра Материаловедения и Материалов Электронной Техники
КУРСОВАЯ РАБОТА
по курсу МИМ и КЭТ
на тему:
“Вторично-ионная
масс-спектрометрия“
выполнил: студент гр. ФТМ—81
Тимофеев А. Ю.
проверил:
Леднева Ф. И.
г. Калуга
1997 год.
Содержание
Введение 3
Взаимодействие ионов с веществом 3
Вторично-ионная эмиссия 5
Оборудование ВИМС. 8
Принцип действия установок. 9
Установки, не обеспечивающие анализа распределения частиц по поверхности
10
Установки, позволяющие получать сведения о распределении
11
элемента по поверхности, со сканирующим ионным зондом
Установки с прямым изображением 11
Порог чувствительности 12
Анализ следов элементов
14
Ионное изображение
16
Требования к первичному ионному пучку 17
Масс-спектрометрический анализ нейтральных 18
распыленных частиц
Количественный анализ 19
Глубинные профили концентрации элементов 22
Приборные факторы, влияющие на разрешение 23
по глубине при измерении профилей концентрации
Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение 25
по глубине при измерении профилей концентрации
Применения 26
Исследование поверхности 26
Глубинные профили концентрации
27
Распределение частиц по поверхности, 27
микроанализ и объемный анализ
Заключение 27
Список литературы 29
Введение
Возможности получения сведений о составе внешнего атомного слоя
твердого тела значительно расширялись всвязи с разработкой и
усовершенствованием метода вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и
других методов. Большинство таких методов близки к тому, чтобы
анализировать саму поверхность, поскольку основная информация о составе
материала поступает из его приповерхностной области толщиной порядка 10А, а
чувствительность всех таких методов достаточна для обнаружения малых долей
моноатомного слоя большинства элементов.
Взаимодействие быстрых ионов с твердым телом приводит к выбиванию
атомов и молекул материала как в нейтральном, так и в заряженном состоянии.
На таком явлении сравнительного эффективного образования заряженных частиц
|